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<div>MOSFET de potencia de canal N, transistor de tubo de efecto de campo MOSFET, tubo de efecto de campo N canal, transistor de efecto de campo N Channe, tubo de potencia adaptador</div>

<ul><li>Descripción:
 5 x IRF830 MOSFET de canal N + 5 x 10N60 MOSFET de canal N. El IRF830 ha sido especialmente dise?ado para minimizar la resistencia en el estado, tiene características de avalancha muy resistentes. Estos dispositivos son adecuados para conmutadores de CC / CC de conmutación de alta eficiencia, fuente de alimentación de modo conmutado, convertidores de CC-CA para fuente de alimentación ininterrumpida, control de motor. 10N60 ha sido especialmente dise?ado para minimizar la resistencia en el estado, tiene características de avalancha muy resistentes. Este dispositivo es especialmente adecuado para fuentes de alimentación de modo de conmutación de alta eficiencia, corrección del factor de potencia, UPS y una base de balasto de lámpara electrónica en medio puente. IRF830 Voltaje de la fuente de drenaje: 500V; Corriente de drenaje: 5A. Voltaje de la fuente de drenaje 10N60: 600V; Corriente de drenaje: 10A. 
Especificación:
 IRF830: Diámetro del orificio de montaje: Aprox. 3mm / 0.12 pulgadas Tama?o del pin (L x Pitch): Aprox. 13x2mm / 0.51x0.08 pulgadas Tama?o total (L x W x H): Aprox. 29x10x4mm / 1.14x0.39x0.16 pulgadas Paquete: TO-220AB 10N60: Diámetro del orificio de montaje: Aprox. 3mm / 0.12 pulgadas Tama?o del pin (L x Pitch): Aprox. 13x2mm / 0.51x0.08 pulgadas Tama?o total (L x W x H): Aprox. 29x10x4mm / 1.14x0.39x0.16 pulgadas Paquete: TO-220F 
El paquete incluye:
 MOSFET IRF830 de canal N de 5 piezas MOSFET de canal N de 5 piezas 10N60 </li></ul>

5x canal de potencia mosfet irf830 5a 500v + 5x 10n60 10a 600v

5x canal de potencia mosfet irf830 5a 500v + 5x 10n60 10a 600v

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